IXYS

Usměrňovací dioda IXYS DSI2X55-16A, SOT 227 B, I(F) 2 x 56 A, U(R) 1600 V

Usměrňovací dioda IXYS DSI2X55-16A, SOT 227 B, I(F

HiPerFRED dioda IXYS DSEP2X61-06A, SOT 227 B, I(F) 2 x 60 A, U(R) 600 V

HiPerFRED dioda IXYS DSEP2X61-06A, SOT 227 B, I(F)

Schottkyho dioda IXYS DSS2x101-015A, U(RRM) 150 V, I(F) 2 x 100 A

Schottkyho dioda IXYS DSS2x101-015A, U(RRM) 150 V,

Dioda IXYS DSEI2X101-06A SOT 227 B, I(F) 2 x 96 A, U(R) 600 V

Dioda IXYS DSEI2X101-06A SOT 227 B, I(F) 2 x 96 A,

Dioda IXYS DSEI2X121-02A SOT 227 B, I(F) 2 x 123 A, U(R) 200 V

Dioda IXYS DSEI2X121-02A SOT 227 B, I(F) 2 x 123 A

Usměrňovací dioda IXYS DMA150E1600NA, SOT 227 B, I(F) 150 A, U(R) 1600 V

Usměrňovací dioda IXYS DMA150E1600NA, SOT 227 B, I

Dioda IXYS DSEI2X101-12A SOT 227 B, I(F) 2 x 91 A, U(R) 1200 V

Dioda IXYS DSEI2X101-12A SOT 227 B, I(F) 2 x 91 A,

Tranzistor MOSFET Ixys, IXTH12N100L, N-Kanal, 12 A, 1000 V, TO-247AD

Tranzistor MOSFET Ixys, IXTH12N100L, N-Kanal, 12 A

MOSFET N kanál IXYS IXFN140N30P

MOSFET N kanál IXYS IXFN140N30P

Tranzistor IGBT - modul IXYS IXA60IF1200NA, SOT-227B , 1200 V, samostatný, standardní

Tranzistor IGBT - modul IXYS IXA60IF1200NA, SOT-22

Tranzistor MOSFET Ixys, IXTK550N055T2, N-Kanal, 550 A, 55 V, TO-264

Tranzistor MOSFET Ixys, IXTK550N055T2, N-Kanal, 55

MOSFET P kanál IXYS IXTK170P10P

MOSFET P kanál IXYS IXTK170P10P

<< < 6 7 8 9 10 > >>